Samsung ha iniziato a sviluppare cosa dice è il primo chip di storage eUFS (Universal Flash Storage) integrato da un terabyte, alimentato dalla V-NAND di quinta generazione dell'azienda.
La maggior parte dei telefoni Android include uno slot microSD che consente ai proprietari di aggiornare la capacità interna del proprio dispositivo, ma il nuovo chip da 1 TB offrirà livelli di capacità di archiviazione paragonabili ai notebook senza la necessità di schede di memoria aggiuntive, secondo Samsung.
'Si prevede che l'eUFS da 1 TB svolga un ruolo fondamentale nel portare un'esperienza utente più simile a un notebook per la prossima generazione di dispositivi mobili', ha affermato Cheol Choi, EVP di Memory Sales & Marketing presso Samsung Electronics.
'Inoltre, Samsung si impegna a garantire la catena di approvvigionamento più affidabile e quantità di produzione adeguate per supportare i lanci tempestivi dei prossimi smartphone di punta per accelerare la crescita del mercato mobile globale'.
Oltre a fornire una maggiore capacità, la tecnologia eUFS è anche progettata per essere più veloce rispetto allo storage a stato solido standard e alle schede microSD, offrendo una velocità di lettura sequenziale di 1.000 MB/s e una velocità di lettura casuale di 58.000 IOPS, nonostante le stesse dimensioni del pacchetto come i chip flash da 512 GB dell'azienda.
Samsung afferma che le velocità casuali consentono lo scatto continuo ad alta velocità a 960 fotogrammi al secondo e consentiranno agli utenti di smartphone di sfruttare appieno le funzionalità multi-camera nei modelli di punta di oggi e di domani.
Samsung ha iniziato a produrre in serie i suoi chip di archiviazione da 512 GB a dicembre 2017 e ha presentato la tecnologia nei suoi nuovi telefoni di punta l'anno successivo. Supponendo un'implementazione simile, il prossimo Galaxy S10 di Samsung sarà probabilmente dotato di un'opzione di capacità di archiviazione di 1 TB, grazie alla nuova tecnologia eUFS dell'azienda.
Nel frattempo, Samsung prevede di espandere la produzione della sua V-NAND da 512 GB di quinta generazione nel suo stabilimento di Pyeongtaek in Corea durante la prima metà del 2019 per soddisfare la forte domanda prevista per l'eUFS da 1 TB da parte dei produttori di dispositivi mobili di tutto il mondo.
In qualità di leader nelle soluzioni di memoria di tipo NAND, Samsung fornisce ad Apple chip di memoria flash dal 2017. Anche se questo sviluppo sembra avere maggiori probabilità di influenzare le memorie utilizzate nel futuro di Apple i phone e iPad prodotti, la memoria di Samsung potrebbe essere visualizzata nei futuri Mac, che sono diventati fortemente dipendenti dall'archiviazione flash.
Il 2018 di Apple iPad Pro i modelli sono disponibili con 1 TB di spazio di archiviazione, la massima capacità offerta in un iPhone o iPad ad oggi.
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